对比图
型号 IXFA12N50P IXTI12N50P IXTP12N50P
描述 N沟道 500V 12ATrans MOSFET N-CH 500V 12A 3Pin(2+Tab) TO-263N沟道 500V 12A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 12.0 A 12.0 A 12.0 A
通道数 1 - -
漏源极电阻 500 mΩ - -
极性 N-Channel - -
耗散功率 200 W 200 W 200 W
阈值电压 5.5 V - -
输入电容 1.69 nF 1.69 nF 1.69 nF
栅电荷 29.0 nC 29.0 nC 29.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - -
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A 12.0 A
上升时间 27 ns 27 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 1830pF @25V(Vds) 1830pF @25V(Vds) 1830pF @25V(Vds)
下降时间 20 ns 20 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)
长度 10.66 mm 10.29 mm -
宽度 4.83 mm 9.65 mm -
高度 16 mm 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99