LMV822DE4和LMV822DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV822DE4 LMV822DR LMV822AIDT

描述 低电压轨到轨输出运算放大器 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS低电压轨到轨输出运算放大器 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSSTMICROELECTRONICS  LMV822AIDT  运算放大器, 双路, 5.5 MHz, 2个放大器, 1.9 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - - 70mA @5V

供电电流 500 µA 500 µA 300 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - - 8

共模抑制比 - 72 dB 72 dB

带宽 5.50 MHz 5.50 MHz 5.5 MHz

转换速率 1.70 V/μs 1.70 V/μs 1.90 V/μs

增益频宽积 5.5 MHz 5.5 MHz 5.5 MHz

输入补偿电压 1 mV 1 mV 0.8 mV

输入偏置电流 40 nA 40 nA 0.06μA @5V

工作温度(Max) - 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 5.5 MHz 5.5 MHz

共模抑制比(Min) - - 72 dB

电源电压 - - 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 2.5 V 2.5 V

输入补偿漂移 1.00 µV/K 1.00 µV/K -

长度 - 4.9 mm 3.2 mm

宽度 - 3.91 mm 3.1 mm

高度 - 1.58 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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