BF1207和BF1207,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF1207 BF1207,115

描述 双N沟道双栅MOSFET Dual N-channel dual gate MOSFET射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管

基础参数对比

封装 TSSOP-6 SOT-143-4

引脚数 - 6

频率 400 MHz 400 MHz

额定电流 30 mA 30 mA

增益 30 dB 30 dB

测试电流 18 mA 18 mA

额定电压 6 V 6 V

耗散功率 - 180 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 180 mW

封装 TSSOP-6 SOT-143-4

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 1 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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