MT47H256M8EB-25EIT:C和MT47H256M8EB-25E:C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H256M8EB-25EIT:C MT47H256M8EB-25E:C MT47H256M8HG-37E:A

描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 60 60

封装 FBGA FBGA-60 FBGA

工作电压 1.80 V 1.80 V 1.80 V

供电电流 - 130 mA -

时钟频率 - 400 MHz -

位数 - 8 8

存取时间 - 400 ps -

存取时间(Max) - 0.4 ns 0.5 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V 1.8 V

封装 FBGA FBGA-60 FBGA

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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