JANS2N5003和JANTXV2N5003

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N5003 JANTXV2N5003 2N5003

描述 TO-59 PNP 80V 10ATrans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin TO-59Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Solitron Devices

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-59 TO-210 -

极性 PNP - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 10A - -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @2.5A, 5V -

额定功率(Max) - 2 W -

封装 TO-59 TO-210 -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bulk -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - -

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