BSM35GD120D2和CM50TU-24H

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM35GD120D2 CM50TU-24H BSM50GD120DN2E3226

描述 IGBT的功率模块(电源模块3相全桥包括快速续流二极管) IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)POWEREX CM50TU-24H IGBT Array & Module Transistor, Six N Channel, 50A, 2.9V, 400W, 1.2kV, ModuleIGBT的功率模块(电源模块3相全桥包括快速续流二极管封装,带有绝缘金属基板) IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Powerex Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - Chassis Screw

引脚数 - 17 -

封装 - Module EconoPACK 2

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 400 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 - Module EconoPACK 2

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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