BC849C和BC849B,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC849C BC849B,215 BC849B

描述 BC849C NPN三极管 30V 100mA/0.1A 100MHz 420~800 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 2CNXP  BC849B,215  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFETransistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

频率 - 100 MHz -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 250 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 250 mW -

直流电流增益(hFE) - 200 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW 250 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

工作温度(Min) - - -55 ℃

宽度 - 1.4 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 - 150℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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