UF28100M和BLF246B,112

对比图

型号 UF28100M BLF246B,112 MRF175GU

描述 射频MOSFET功率晶体管， lOOW ， 28V 100 - 500兆赫 RF MOSFET Power Transistor, lOOW, 28V 100 - 500 MHzTrans RF MOSFET N-CH 65V 8A 8Pin CDFM BulkN沟道MOS宽带射频功率FET N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

数据手册 ---

制造商 M/A-Com NXP (恩智浦) M/A-Com

分类 MOS管晶体管晶体管

封装 - SOT-161 375-04

安装方式 Screw Screw -

引脚数 5 8 -

频率 - 175 MHz 225 MHz

额定电流 - 8 A 26 A

输出功率 - 60 W 200 W

增益 - 19 dB 14 dB

测试电流 - 50 mA 100 mA

额定电压 - - 65 V

输入电容(Ciss) - 125pF @28V(Vds) -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) 250000 mW 130000 mW -

封装 - SOT-161 375-04

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free