IRF7401和IRF7401TRPBF-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7401 IRF7401TRPBF-1 IRF7401PBF

描述 SOIC N-CH 20V 8.7ASOIC N-CH 20V 8.7AINFINEON  IRF7401PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 20 V, 22 mohm, 4.5 V, 700 mV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

额定功率 - - 2.5 W

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.022 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 2.5 W - 2.5 W

阈值电压 - - 700 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 8.7A 8.7A 8.7A

上升时间 72 ns 72 ns 72 ns

输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) - 1600pF @15V(Vds)

下降时间 92 ns 92 ns 92 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW - 2.5W (Ta)

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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