IXTA182N055T和IXTP182N055T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA182N055T IXTP182N055T IXTH182N055T

描述 D2PAK N-CH 55V 182ATO-220AB N-CH 55V 182ATrans MOSFET N-CH 55V 182A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3

引脚数 - 3 -

耗散功率 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

输入电容(Ciss) 4850pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

漏源极电阻 - 5.00 mΩ -

极性 N-CH N-Channel -

漏源击穿电压 - 55.0 V -

连续漏极电流(Ids) 182A 182 A -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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