IS42S32400E-6TL和IS42S32400F-7TL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32400E-6TL IS42S32400F-7TL IS42S32400F-6TL

描述 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86Pin TSOP II (400 mil) RoHSRAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86Pin TSOP II (400 mil) RoHS

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 86 86 86

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

供电电流 180 mA 100 mA 150 mA

位数 32 32 32

存取时间 6 ns 5.4 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 6.5ns, 5.4ns 5.4ns, 6.5ns 5.4ns, 6.5ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

长度 22.22 mm 22.42 mm -

宽度 10.16 mm 10.29 mm -

高度 1.05 mm 1.05 mm -

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free PB free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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