对比图
型号 IXTQ96N15P IXTT96N15P IXFV96N15PS
描述 TO-3P N-CH 150V 96AN沟道 150V 96APLUS220 N-CH 150V 96A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
封装 TO-3-3 TO-268-3 PLUS-220SMD
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 480 W 480 W 480W (Tc)
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 96A - 96A
输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 24 mΩ -
漏源击穿电压 - 150 V -
上升时间 - 33 ns -
下降时间 - 18 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
额定功率(Max) 480 W - -
封装 TO-3-3 TO-268-3 PLUS-220SMD
长度 - 16.05 mm -
宽度 - 14 mm -
高度 - 5.1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free