FGH40N60SMDF和STGY40NC60VD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FGH40N60SMDF STGY40NC60VD APT40GT60BRG

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH40N60SMDF  单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。迅雷IGBT Thunderbolt IGBT

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 50.0 A 80.0 A

极性 - N-Channel -

耗散功率 349 W 260 W 345 W

输入电容 - 4550 pF -

漏源极电压(Vds) - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 50.0 A -

上升时间 - 19.0 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

热阻 - 50 ℃/W -

反向恢复时间 90 ns 44 ns -

额定功率(Max) 349 W 260 W 345 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 349 W 260000 mW 345000 mW

针脚数 3 - -

长度 15.6 mm 15.9 mm 21.46 mm

宽度 4.7 mm 5.3 mm 16.26 mm

高度 20.6 mm 20.3 mm 5.31 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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