BC858CE6327和BC858CLT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858CE6327 BC858CLT3G BC858CMTF

描述 SOT-23 PNP 30V 0.1A小信号 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 250 MHz 100 MHz 150 MHz

额定电压(DC) - -30.0 V -30.0 V

额定电流 - -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 330 mW 0.3 W 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 225 mW 310 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 310 mW

长度 - 2.9 mm 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm 1.3 mm

高度 - 0.94 mm 0.93 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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