ZVN4206A和ZVP4424ASTOA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZVN4206A ZVP4424ASTOA 2N6660

描述 ZVN4206A 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A Automotive 3Pin E-Line T/R晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 E-Line-3 TO-39-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) 60.0 V -240 V -

额定电流 600 mA -200 mA -

通道数 - 1 1

漏源极电阻 1.5 Ω 9 Ω 3 Ω

极性 N-Channel P-Channel -

耗散功率 700 mW 750 mW 6.25 W

输入电容 100 pF 18.0 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 240 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 240 V 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±40.0 V -

连续漏极电流(Ids) 600 mA 200 mA -

上升时间 12.0 ns 8 ns -

输入电容(Ciss) 100pF @25V(Vds) 200pF @25V(Vds) 50pF @24V(Vds)

下降时间 - 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 750mW (Ta) 6.25W (Tc)

针脚数 3 - 3

阈值电压 3 V - 2 V

额定功率 0.7 W - -

额定功率(Max) 700 mW - -

封装 TO-226-3 E-Line-3 TO-39-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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