对比图
型号 IRFR9024NCTRPBF IRFR9024NPBF IRFR9024NTRLPBF
描述 DPAK P-CH 55V 11AP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 38 W 38 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.175 Ω 0.175 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 - 38 W 38 W
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 350 pF 350 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 11A 11A 11A
上升时间 55 ns 55 ns 55 ns
反向恢复时间 - 47 ns -
正向电压(Max) - 1.6 V -
输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 38 W 38 W
下降时间 37 ns 37 ns 37 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -
耗散功率(Max) 38000 mW 38W (Tc) 38W (Tc)
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free