对比图
型号 IXFN48N50Q IXFN80N50 STE70NM50
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227BIXYS SEMICONDUCTOR IXFN80N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 VSTMICROELECTRONICS STE70NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Screw Screw
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
额定电压(DC) - 500 V 500 V
额定电流 - 80.0 A 70.0 A
额定功率 - - 600 W
针脚数 - 4 4
漏源极电阻 - 0.055 Ω 45 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 500 W 780 W 600 W
阈值电压 - 4.5 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 30.0 A
上升时间 22 ns 70 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 7000pF @25V(Vds) 9890pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 500 W 780 W 600 W
下降时间 10 ns 27 ns 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 700W (Tc) 600W (Tc)
通道数 - 1 -
工作结温(Max) - 150 ℃ -
长度 - 38.23 mm 38.2 mm
宽度 - 25.42 mm 25.5 mm
高度 - 9.6 mm 9.1 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
重量 - 0.000036 kg -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99