1N4371E3和JAN1N4371A-1

对比图

型号 1N4371E3 JAN1N4371A-1 JAN1N4371D-1

描述 DO-35 2.7V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

容差 - ±5 % ±1 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW 480 mW -

测试电流 20 mA 20 mA -

稳压值 2.7 V 2.7 V 2.7 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 -