IS43DR16160A-3DBI-TR和IS43DR16160B-3DBLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43DR16160A-3DBI-TR IS43DR16160B-3DBLI-TR

描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, TWBGA-84动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TFBGA-84 BGA-84

引脚数 - 84

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

位数 - 16

存取时间 - 450 ps

存取时间(Max) - 0.45 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 TFBGA-84 BGA-84

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

ECCN代码 - EAR99

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