IRFZ44和IRFZ44NSTRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ44 IRFZ44NSTRRPBF IRFZ44NSPBF

描述 功率MOSFET Power MOSFETD2PAK N-CH 55V 49AINFINEON  IRFZ44NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.0175 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 110 W 110 W

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 150 W 3.8 W 110 W

漏源极电压(Vds) 60.0 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 49A 49A

上升时间 110 ns 60 ns 60 ns

输入电容(Ciss) - 1470pF @25V(Vds) 1470pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.8 W -

下降时间 - 45 ns 45 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc)

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 50.0 A - -

通道数 1 - -

正向电压 2.50 V - -

漏源极电阻 28.0 mΩ - 0.0175 Ω

输入电容 1.90 nF - -

栅电荷 67.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 4 V

长度 - 6.5 mm 10.67 mm

宽度 4.7 mm 6.22 mm 9.65 mm

高度 - 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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