1N5537B-1TR和JAN1N5537B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5537B-1TR JAN1N5537B 1N5537BTR

描述 DO-35 17V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWDO-35 17V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 17 V 17 V 17 V

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Obsolete Active

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