SGD02N60和SGD04N60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SGD02N60 SGD04N60 IRG4RC10KTRL

描述 在NPT技术降低75 %的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technologyIGBT 600V 9A 38W DPAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 TO-252 TO-252 TO-252-3

长度 6.5 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.3 mm - -

封装 TO-252 TO-252 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V

额定功率(Max) - - 38 W

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