IRF630NSTRRPBF和IRF630STRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF630NSTRRPBF IRF630STRLPBF IRF630SPBF

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R功率MOSFET Power MOSFETN沟道 200V 9A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

漏源极电阻 - 400 mΩ 400 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 82 W 3 W 3 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 9.30 A 9.00 A 9.00 A

上升时间 14.0 ns 28 ns -

输入电容(Ciss) - 800pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 3W (Ta), 74W (Tc) -

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 9.30 A - -

产品系列 IRF630NS - -

额定功率(Max) - - 3 W

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - 2000 2000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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