BC857C-7-F和BC857C-TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857C-7-F BC857C-TP BC857CLT1G

描述 DIODES INC.  BC857C-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFEBC857C 系列 45 V 100 mA 200 mW 表面贴装 PNP 小信号 晶体管 - SOT-23ON SEMICONDUCTOR  BC857CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 200 MHz 200 MHz 100 MHz

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 300 mW 0.31 W 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 310 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 310 mW 300 mW

额定电压(DC) -45.0 V - -45.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

针脚数 3 - 3

增益频宽积 200 MHz - -

直流电流增益(hFE) 600 - 420

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 3.05 mm - 2.9 mm

宽度 1.4 mm - 1.3 mm

高度 1 mm - 0.94 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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