对比图
型号 SI6924AEDQ-T1-GE3 SI6968BEDQ-T1-E3 FDS6990AS
描述 MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOPTRANSISTOR 5200mA, 20V, 2Channel, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpose Small SignalPowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TSSOP-8 TSSOP-8 SOIC-8
漏源极电阻 - 0.022 Ω 22 mΩ
耗散功率 - 1.5 W 2 W
漏源极电压(Vds) 28 V 20 V 30 V
漏源击穿电压 - 20 V -
热阻 - 83℃/W (RθJA) -
额定功率(Max) 1 W 1 W 900 mW
下降时间 - 765 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
阈值电压 - - 1.7 V
输入电容(Ciss) - - 550pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) - - 1600 mW
极性 N-Channel - -
连续漏极电流(Ids) 4.60 A - -
长度 - 4.5 mm 5 mm
封装 TSSOP-8 TSSOP-8 SOIC-8
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2014/12/17