CBR06C279B5GAC和GRM1885C1H2R7BZ01D

对比图

型号 CBR06C279B5GAC GRM1885C1H2R7BZ01D 0603N2R7B500CR

描述 射频电容, C0G / NP0, 2.7 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0603 [1608公制]2.7pF(2R7) ±0.1pF 50V 编带Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 3.7% +Tol, 3.7% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000027uF, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT

数据手册 ---

制造商 KEMET Corporation (基美) muRata (村田) Walsin Technology (台湾华科)

分类 电容陶瓷电容

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装(公制) 1608 1608 -

封装 0603 0603 -

额定电压(DC) 50 V 50.0 V -

电容 2.7 pF 2.7 pF -

容差 ±0.1 pF ±0.1 pF -

电介质特性 - C0G/NP0 -

产品系列 - GRM -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压 50 V 50 V -

长度 1.60 mm 1.6 mm -

宽度 0.80 mm 0.8 mm -

高度 0.8 mm 0.8 mm -

封装(公制) 1608 1608 -

封装 0603 0603 -

厚度 - 800 µm -

材质 C0G/-55℃~+125℃ C0G/-55℃~+125℃ -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

最小包装 1 4000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -