199D107X9003D2V1E3和199D107X96R3D2V1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D107X9003D2V1E3 199D107X96R3D2V1E3 199D107X96R3D1V1E3

描述 CAP TANT 100uF 3V 10% RADIALCap Tant Solid 100uF 6.3V 10% (6 X 10.16mm) Radial 2.54mm 125℃ Bulk199D 系列 100 uF ±10 % 6.3 V 径向 固体 电解质钽电容

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电容电容钽电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 - - Radial

电容 100 µF 100 µF 100 μF

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

工作温度(Max) - - 125 ℃

额定电压 3 V 6.3 V 6.3 V

高度 - - 10.16 mm

封装 - - Radial

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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