BZX384-C4V3,115和MM3Z4V3T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX384-C4V3,115 MM3Z4V3T1G BCX54-16,115

描述 NXP  BZX384-C4V3,115  单管二极管 齐纳, 4.3 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °CON SEMICONDUCTOR  MM3Z4V3T1G  单管二极管 齐纳, 4.3 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °CNXP  BCX54-16,115  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 180 MHz, 500 mW, 1 A, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 3

封装 SOD-323 SOD-323-2 SOT-89-3

额定电压(DC) - 4.30 V -

容差 ±5 % ±7 % -

额定功率 - 200 mW -

击穿电压 - 4.6 V -

针脚数 2 2 3

正向电压 1.1V @100mA 900mV @10mA -

耗散功率 300 mW 200 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 4.3 V 4.3 V -

正向电压(Max) 1.1V @100mA 900mV @10mA -

额定功率(Max) 300 mW 200 mW 1.25 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 200 mW 1350 mW

频率 - - 180 MHz

极性 NPN - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - - 45 V

集电极最大允许电流 - - 1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 100 @150mA, 2V

直流电流增益(hFE) - - 100

长度 - 1.8 mm 4.6 mm

宽度 - 1.35 mm 2.6 mm

高度 - 1 mm 1.6 mm

封装 SOD-323 SOD-323-2 SOT-89-3

材质 - Plastic -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

温度系数 -2.5 mV/K -1.75 mV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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