对比图
型号 IRF7807APBF-1 IRF7807PBF-1 IRF7807TRPBF
描述 SOIC N-CH 30V 8.3ASOIC N-CH 30V 8.3AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 8
封装 SOIC SO-8 SOIC-8
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.017 Ω
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 - - 2.5 W
阈值电压 - - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 8.3A 8.3A 8.3A
上升时间 - - 17 ns
额定功率(Max) - - 2.5 W
下降时间 - - 6 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta)
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
封装 SOIC SO-8 SOIC-8
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free