对比图
型号 1N757A-TAP JANTX1N757A-1
描述 DO-35 9.1V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
数据手册 --
制造商 VISHAY (威世) Microsemi (美高森美)
分类 齐纳二极管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 DO-35 DO-35
引脚数 - 2
耗散功率 500 mW 480 mW
稳压值 9.1 V 9.1 V
容差 - ±5 %
正向电压 - 1.1V @200mA
测试电流 - 20 mA
额定功率(Max) - 500 mW
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 500 mW
封装 DO-35 DO-35
工作温度 - -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 - Active
包装方式 - Bag
RoHS标准 - Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead
ECCN代码 - EAR99