TL5580IDG4和TL5580IDRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL5580IDG4 TL5580IDRG4 TL5580IDR

描述 精密放大器 Dual Low-Noise Wide Bndwdth Precsion Amp精密放大器 Dual Low-Noise Wide Bndwdth Precsion Amp双路低噪声宽带宽精密放大器 DUAL LOW-NOISE WIDE-BANDWIDTH PRECISION AMPLIFIER

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 6 mA - 6 mA

电路数 2 - 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 - - 90 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K 1.80 µV/K

带宽 12.0 MHz 12.0 MHz 12.0 MHz

转换速率 5.00 V/μs 5.00 V/μs 5.00 V/μs

增益频宽积 12 MHz 12.0 MHz 12 MHz

输入补偿电压 300 µV - 300 µV

输入偏置电流 100 nA - 100 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - - 12 MHz

共模抑制比(Min) - - 90 dB

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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