JANSR2N2222A和JANSR2N2222AUB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANSR2N2222A JANSR2N2222AUB

描述 Rad-Resistant NPN bipolar transistor 40 V, 0.8 AUB NPN 50V 0.8A

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - SMD-3

极性 - NPN

耗散功率 - 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V

集电极最大允许电流 - 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) - 500 mW

工作温度(Max) - 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW

封装 - SMD-3

材质 - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 -

含铅标准 - Lead Free

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