对比图


型号 JANSR2N2222A JANSR2N2222AUB
描述 Rad-Resistant NPN bipolar transistor 40 V, 0.8 AUB NPN 50V 0.8A
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 - SMD-3
极性 - NPN
耗散功率 - 0.5 W
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极最大允许电流 - 0.8A
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) - 500 mW
工作温度(Max) - 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 500 mW
封装 - SMD-3
材质 - Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
RoHS标准 -
含铅标准 - Lead Free