对比图
描述 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET门驱动器 N-Ch 40V 1.7A Omni
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管开关电源
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
安装方式 Surface Mount -
输出接口数 1 1
漏源极电阻 35.0 mΩ 250 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 4.60 W 8.30 W
漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 1.70 A
输出电流(Max) 12 A 1.7 A
通道数 1 -
输入数 1 -
耗散功率(Max) 74000 mW -
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99