RN2009和UN111E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RN2009 UN111E 2SA1422

描述 TO-92 PNP 50V 100mAPNP硅外延平面晶体管 Silicon PNP epitaxial planer transistorSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-43, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Panasonic (松下) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类 晶体管

基础参数对比

封装 TO-92 - TO-92

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-92 - TO-92

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 0.1A -

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