对比图
型号 IRFF430 JAN2N6802 JANTXV2N6802
描述 Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/5572.5A, 500V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Intersil (英特矽尔)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 3 -
封装 - TO-205 BCY
耗散功率 - 0.8 W -
漏源极电压(Vds) - 500 V -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 800mW (Ta), 25W (Tc) -
封装 - TO-205 BCY
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - Non-Compliant -
含铅标准 - Contains Lead -