8403611LA和IDT6116LA55TDB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 8403611LA IDT6116LA55TDB HM6116P-4

描述 Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)2KX8 STANDARD SRAM, 200ns, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 存储芯片

基础参数对比

引脚数 - - 24

封装 DIP DIP DIP

位数 - - 8

存取时间(Max) - - 200 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - 3A001 -

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