对比图
型号 MMBT4401LT3G SMMBT4401LT1G MMBT4401LT1G
描述 NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR MMBT4401LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz
针脚数 3 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 225 mW 300 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 1V 100 @150mA, 1V 20
最大电流放大倍数(hFE) - 300 -
额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) 20 40 250
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW
额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V
额定电流 600 mA - 600 mA
额定功率 300 mW - 300 mW
长度 3.04 mm 3.04 mm 2.9 mm
宽度 2.64 mm 1.4 mm 1.3 mm
高度 0.94 mm 1.01 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99