TZMB36-GS08和BZV55-B36,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TZMB36-GS08 BZV55-B36,115

描述 •非常尖锐的反向特性•低反向电流水平•非常高的稳定性•低噪音•TZMC - VZ-公差±5%•TZMB - VZ-公差±2%•通过AEC-Q101资格•电压稳定•小信号二极管Mini-MELF 36V 0.5W(1/2W)

数据手册 --

制造商 VISHAY (威世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 SOD-80 Mini-MELF

容差 - ±2 %

正向电压 - 900mV @10mA

耗散功率 500 mW 0.5 W

测试电流 5 mA 2 mA

稳压值 36 V 36 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA

额定功率(Max) - 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW

稳压电流 100 nA -

封装 SOD-80 Mini-MELF

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃

温度系数 - 31.8 mV/K

产品生命周期 - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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