IXFA7N80P和IXFP7N80P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFA7N80P IXFP7N80P

描述 D2PAK N-CH 800V 7AN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3

极性 N-CH -

耗散功率 200 W 200W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 7A -

上升时间 32 ns 32 ns

输入电容(Ciss) 1890pF @25V(Vds) 1890pF @25V(Vds)

下降时间 24 ns 24 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc)

额定功率(Max) - 200 W

长度 10.41 mm 10.66 mm

宽度 9.65 mm 4.83 mm

高度 4.83 mm 9.15 mm

封装 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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