71V124SA20Y8和IS63LV1024-12KL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V124SA20Y8 IS63LV1024-12KL IS63LV1024-8KL

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 20ns 32Pin SOJ T/R1Mb, High-Speed, Async, 128K x 8, 12ns, 3.3V, 32Pin SOJ (400 mil), RoHSSRAM 1Mb 128Kx8 8ns 3.3V Async SRAM 3.3V

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 32 32

封装 - SOJ-32 SOJ-32

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

位数 - 8 8

存取时间 - 12 ns 8 ns

内存容量 - 1000000 B 1000000 B

存取时间(Max) - 12 ns 8 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) - 3 V 3 V

供电电流 - 130 mA -

封装 - SOJ-32 SOJ-32

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 - Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台