1N457A.TR和JAN1N458

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N457A.TR JAN1N458 1N459A.TR

描述 DIODE GEN PURP 70V 200mA DO35Diode Switching 150V 0.165A 2Pin DO-35DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-204 DO-35 -

引脚数 - 2 -

封装 DO-204 DO-35 -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

正向电压 - 1V @100mA -

耗散功率 - 500 mW -

正向电流 - 165 mA -

正向电流(Max) - 0.165 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

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