1N3011B和JAN1N3011

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N3011B JAN1N3011 JANTX1N3011B

描述 Zener Diode,10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Solid State Devices Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-4 DO-4 DO-4

引脚数 2 - 2

耗散功率 10 W 10 W 10 W

稳压值 150 V 150 V 150 V

容差 - - ±5 %

正向电压 - - 1.5V @2A

测试电流 - - 17 mA

额定功率(Max) - - 10 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 10000 mW

封装 DO-4 DO-4 DO-4

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Each - Tray

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -65℃ ~ 175℃

RoHS标准 - - Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台