IS63WV1024BLL-12TLI和IS63WV1024BLL-12TLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS63WV1024BLL-12TLI IS63WV1024BLL-12TLI-TR 71V124HSA10PHG

描述 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K X 8,12ns/3.3V Or 15ns/2.5V-3.6V, 32Pin TSOP II, Leadfree1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K X 8,12ns/3.3V Or 15ns/2.5V-3.6V, 32Pin TSOP II, Leadfree3.3V 128K X 8 SRAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 32 32 -

封装 TSOP-32 TSOP-32 -

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) -

位数 8 8 -

存取时间 12 ns 12 ns -

内存容量 1000000 B 1000000 B -

存取时间(Max) 12 ns 12 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V -

供电电流 45 mA - -

封装 TSOP-32 TSOP-32 -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 无铅 无铅 -

ECCN代码 EAR99 - -

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