71124S20YG和IDT71V124SA20YI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71124S20YG IDT71V124SA20YI 71124S20YG8

描述 静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 128K ×8位)中心电源和接地引脚 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 32 - 32

封装 SOJ-32 BSOJ-32 SOJ-32

存取时间 20 ns - 20 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V

长度 20.9 mm - 20.9 mm

宽度 10.2 mm - 10.2 mm

高度 2.2 mm - 2.2 mm

封装 SOJ-32 BSOJ-32 SOJ-32

厚度 2.20 mm - 2.20 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube, Rail Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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