IXFK120N25和IXTK120N25P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK120N25 IXTK120N25P IXTV110N25TS

描述 Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3Pin(3+Tab) TO-264AAIXYS SEMICONDUCTOR  IXTK120N25P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 250 V, 24 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMD

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-264-3 TO-264-3 PLUS-220SMD

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 22 mΩ 0.024 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 560 W 700 W 694W (Tc)

阈值电压 - 5 V -

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) - 120 A -

上升时间 38 ns 33 ns -

输入电容(Ciss) 9400pF @25V(Vds) 8000pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 700 W -

下降时间 35 ns 33 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 560W (Tc) 700W (Tc) 694W (Tc)

通道数 1 - -

漏源击穿电压 250 V - -

封装 TO-264-3 TO-264-3 PLUS-220SMD

长度 19.96 mm - -

宽度 5.13 mm - -

高度 26.16 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -

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