JAN1N5816R和MBR2045CT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5816R MBR2045CT RGP30M

描述 Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)Diode Schottky 45V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220ABDiode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Package: Ammo Pack; DO201; 0.5us

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Good-Ark Electronics (固锝) Diotec Semiconductor

分类 功率二极管

基础参数对比

引脚数 2 3 2

封装 DO-4 TO-220 DO-201

安装方式 - Surface Mount Through Hole

正向电压 0.95 V 0.7 V 1.2 V

反向恢复时间 35 ns - 500 ns

正向电流 20000 mA 20000 mA -

正向电流(Max) 20000 mA 20 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -50 ℃

触点数 - 64 -

额定电流(Max) - 4.9A/触头 -

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

封装 DO-4 TO-220 DO-201

高度 - 8.7 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Rail, Tube Ammo Pack

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

外壳颜色 - Black -

触点材质 - Phosphor Bronze -

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