MRF317和SD1013

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF317 SD1013 MRF316

描述 射频线NPN硅功率晶体管100W , 30-200MHz , 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28VTrans Rf Bipo 13W 1A M135射频线NPN硅射频功率晶体管 The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor

数据手册 ---

制造商 M/A-Com Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Chassis - Chassis

封装 316-01 - 316-01

引脚数 4 4 -

增益 10 dB - 13 dB

耗散功率 270 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 35 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 10 @5A, 5V - -

额定功率(Max) 100 W - -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 13000 mW -

封装 316-01 - 316-01

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

材质 - Silicon -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台