IXFT24N50和R5021ANJTL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT24N50 R5021ANJTL IXTT24N50Q

描述 TO-268 N-CH 500V 24ALPTS N-CH 500V 21ATrans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin(2+Tab) TO-268

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ROHM Semiconductor (罗姆半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-268-3 TO-263-3 TO-268-2

引脚数 - 3 -

封装 TO-268-3 TO-263-3 TO-268-2

产品生命周期 Not Recommended Not For New Designs Not Recommended

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 300W (Tc) 100 W -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 24A 21A -

上升时间 - 70 ns -

输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds) -

下降时间 - 70 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 100W (Tc) -

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

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