IXTP15P15T和IXTY15P15T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP15P15T IXTY15P15T IXTA15P15T

描述 TO-220AB P-CH 150V 15AP沟道 150V 15AMosfet p-Ch 150V 15A To-263

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-263-3

漏源极电阻 - - 240 mΩ

耗散功率 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 - - 150 V

上升时间 - 14 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 3650pF @25V(Vds) 3650pF @25V(Vds) 3650pF @25V(Vds)

下降时间 - 11 ns 11 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

极性 P-CH P-CH -

连续漏极电流(Ids) 15A 15A -

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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