对比图
型号 CY7C1414KV18-300BZI CY7C1414KV18-300BZXC CY7C1414KV18-300BZC
描述 36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR ？ II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
时钟频率 - - 300 MHz
位数 - 36 36
存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
存取时间 - 0.45 ns -
电源电压(Max) - 1.9 V -
电源电压(Min) - 1.7 V -
高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm
封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
长度 - 15 mm -
宽度 - 13 mm -
工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 Contains Lead
ECCN代码 - 3A991.b.2.a -